Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (TOKYO: 4063)（总部：东京；总裁：Yasuhiko Saitoh；以下简称“Shin-Etsu Chemical”）创建了专门用于氮化镓(GaN)外延生长的300毫米（12英寸）QSTTM衬底，并于最近开始供应样品。

Shin-Etsu Chemical已经在出售150毫米（6英寸）和200毫米（8英寸）QSTTM衬底以及这两种直径的GaN on QSTTM外延衬底。与此同时，该公司致力于进一步增加直径以回应客户的强劲需求，并成功开发了300毫米（12英寸）QSTTM衬底。尽管可以为GaN使用现有的硅生产线，但由于缺乏适合GaN生长的大直径衬底，GaN器件制造商无法从增加材料直径中受益。这款300毫米QSTTM衬底使GaN外延生长不会翘曲或开裂，在硅衬底上则无法做到这一点，这就显著降低了器件成本。Shin-Etsu Chemical正在着手加强150毫米和200毫米QSTTM衬底的生产设施，此外还将致力于300毫米QSTTM衬底的批量生产。

由于QSTTM衬底具有与GaN相同的热膨胀系数，因此可以限制SEMI标准厚度的QSTTM衬底上GaN外延层的翘曲和裂纹。这种衬底材料可实现高质量、大直径的厚GaN外延生长。许多客户正在利用此功能评估用于功率器件、高频器件和LED的QSTTM衬底和GaN on QSTTM外延衬底。尽管商业环境充满挑战，但客户已进入着眼于实用性的开发阶段，以应对最近对功率器件（包括数据中心电源）日益增长的兴趣。

在150毫米和200毫米系列以外新增300毫米QSTTM衬底可以显着加快GaN器件的普及。Shin-Etsu Chemical致力于通过GaN器件的社会实施，为实现能源可以得到有效利用的可持续发展社会做出贡献。

请注意，该公司计划在2024年9月4日至6日于台湾台北举行的台湾国际半导体展上展出这款300毫米QSTTM衬底。

*1: QSTTM衬底是由Qromis（美国加州，首席执行官：Cem Basceri）开发的专用于GaN生长的复合材料，于2019年授权给Shin-Etsu Chemical。QSTTM是Qromis的美国商标（注册号：5277631）。